پراگ، 20 مارچ 2015 - Samsung Electronics Co., Ltd.، جدید میموری ٹیکنالوجی میں عالمی رہنما، موبائل آلات کے لیے اعلیٰ کارکردگی والا 128GB 3bit NAND اسٹوریج متعارف کرایا، جو ایمبیڈڈ ملٹی میڈیا ٹیکنالوجی پر مبنی ہے۔Card (eMMC) 5.0۔ یونیورسل فلیش سٹوریج (UFS) 128 یا EMMC 2.0 معیارات کی بنیاد پر اسمارٹ فونز کے درمیان فلیگ شپ پہلے ہی 5.1GB میموری اسٹوریج پر سوئچ کر رہے ہیں۔ اسی طرح، درمیانی رینج کے اسمارٹ فون بھی اب اپنی صلاحیت کو بڑھا سکیں گے۔ 128 GB نئے ذخیرے کا شکریہ Samsung 3bit NAND eMMC 5.0. اس میموری چپ میں ہے۔ سب سے بڑی صلاحیت eMMC 5.0 معیار کے اندر۔
"ہماری NAND پر مبنی 3bit eMMC 5.0 سیریز کے آغاز کے ساتھ، ہم اعلی صلاحیت والے موبائل اسٹوریج کی توسیع میں راہنمائی کرنے کی توقع رکھتے ہیں۔ ہم موبائل فون انڈسٹری میں صارفین کی بڑھتی ہوئی مانگ کو پورا کرنے کے لیے بہتر کارکردگی اور اعلیٰ صلاحیت کے ساتھ اپنی موبائل میموری کی پیشکش کو تیار کرنا جاری رکھے ہوئے ہیں۔ ڈاکٹر نے کہا Jung-Bae Lee، Samsung Electronics میں میموری پروڈکٹ پلاننگ اور ایپلیکیشن انجینئرنگ ٹیم کے سینئر نائب صدر۔
ترتیب وار پڑھنا سام سنگ کی جانب سے نئے 128GB eMMC 5.0 اسٹوریج کا ڈیٹا رفتار سے چلتا ہے۔ 260 MB / ے. یہ NAND پر مبنی MLC eMMC 5.1 میموری جیسی کارکردگی ہے۔ بے ترتیب پڑھنے اور لکھنے کی کارکردگی je 6000 IOPSبالترتیب 5000 IOPSجو کہ ہائی ڈیفینیشن ویڈیوز اور جدید ملٹی ٹاسکنگ فنکشنز کو سپورٹ کرنے کے لیے کافی تیز ہے۔ بیرونی میموری کارڈز کے مقابلے میں، یہ پڑھنے اور لکھنے کی رفتار تقریباً ہیں۔ 4kát a 10 گنا زیادہ.
نئی 3bit eMMC 5.0 سیریز سام سنگ کے کاروبار کو ڈیٹا سینٹرز، سرورز اور کمپیوٹرز کے لیے SSDs کی فراہمی سے لے کر پوری موبائل سٹوریج مارکیٹ میں توسیع کرتی ہے۔ سام سنگ اعلیٰ کارکردگی اور اعلیٰ صلاحیت کے حل کی ترقی کے ذریعے 3-بٹ NAND فلیش یادوں کو متعارف کرانا جاری رکھے گا اور ساتھ ہی اپنے میموری ٹیکنالوجی کے کاروبار کی مسابقت کو مضبوط کرتا رہے گا۔
//
//
